项目概要

• 技术产品介绍

  
  相变存储器利用电脉冲诱导存储材料在非晶态与晶态之间切换，具有非挥发性、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低等优点，被业界认为是下一代存储技术的最佳解决方案之一。本项目团队研发人员选择以嵌入式相变存储器（PCRAM）为切入点，在国家重点项目的资助下，经过十余年的研究，在存储材料筛选、存储芯片设计、PCRAM的基础制造技术等方面取得系列重要科技进展。在相变存储器制造工艺方面采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。

• 应用场景

  
  相变存储器有让物联网前端具有计算和存储能力，能广泛应用于智能家居、生计医疗、交通物流、安防监控等领域。此外。相变存储器的应用使得数据中心存储架构发生变革，可直接计算，分担CPU工作，未来可应用于数据挖掘、深度学习和人工智能等领域。

• 技术优势

  
  通过创新性技术缩小了相变材料层的体积，使其与加热电极的接触面积极大的减小，三维纳米尺度得存储单元制备得以实现，使存储性能实现高速低功耗。在三维存储单元实现稳定工艺与稳定性能的基础上，在一个相同的底电极上进一步制备出4个及4个以上同等尺寸的存储单元，研究40纳米以下技术节点的高密度存储特性的串扰与存储特性，项目团队所掌握的技术可直接用于指导工程化相变存储芯片的设计、工艺、测试等，是研发与工程化联系的桥梁。

• 市场前景

  
  目前本项目团队开发的打印机用PCRAM芯片，已经取得了工程应用的突破，实现了产业化销售，未来通过对其他应用场景的结合，该技术将会在不同领域得到应用

• 加分项

  
  拥有多项发明专利

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